Российские ученые создали транзисторы из дисульфида молибдена

Главной технической преградой для внедрения дисульфида молибдена в промышленность оставалась хрупкость материала: при классическом вакуумном напылении электродов металл повреждал атомную структуру полупроводника. Команда МФТИ решила эту проблему с помощью метода атомно-слоевого осаждения. Между электродом и полупроводником ученые разместили изолирующую прослойку из диоксида титана толщиной в несколько атомов, сохранив целостность проводящего слоя.

Разработанный подход универсален и подходит для работы с другими двумерными материалами, включая селениды молибдена и вольфрама. По словам старшего научного сотрудника лаборатории атомно-слоевого осаждения МФТИ Романа Романова, это дает готовое решение для масштабирования технологии на реальных производственных линиях. Энергоэффективность таких транзисторов критически важна для вычислительных систем, работающих с искусственным интеллектом, где проблема высокого потребления энергии и перегрева чипов остается основным сдерживающим фактором развития.