Intel может вернуться к производству памяти спустя 40 лет

Интерес компании сфокусирован вокруг разработки архитектуры XBM (Cross-Batch Memory), на которую в июле 2026 года была подана патентная заявка. В отличие от привычной памяти HBM, технология XBM предполагает отказ от кремниевого интерпозера в пользу стандарта UCIe. Это позволит размещать блоки памяти непосредственно на кристалле процессора, сокращая задержки передачи данных и повышая энергоэффективность систем для ИИ-вычислений.

За кадровыми перестановками скрывается амбициозный план: в июне 2026 года подразделение Intel Foundry возглавил Ли Сок-хи, ранее руководивший южнокорейским гигантом SK Hynix. Несмотря на технологический потенциал, эксперты предупреждают о серьезных рисках. Прямая интеграция памяти в процессор неизбежно ведет к проблемам с теплоотводом и усложняет производственный процесс, увеличивая долю брака. Аналитики сомневаются, что Intel решится на полноценное строительство заводов для выпуска DRAM, полагая, что компания скорее сосредоточится на создании специализированных решений для своих ИИ-ускорителей, стремясь потеснить доминирующую на рынке Nvidia.