Российские ученые создали магнитный полупроводник из оксида галлия

Исследователи использовали раствор-расплавный метод, выращивая монокристаллы в специальной камере из смеси оксидов молибдена и галлия с добавлением гидроксида железа. Рентгеновская дифракция подтвердила, что атомы железа встраиваются в кристаллическую решетку, не разрушая ее структуру. Магнитное упорядочение, зафиксированное при комнатной температуре, локализуется вблизи границ срастания кристаллов, где концентрация примеси достигает пиковых значений.

Ранее железо применялось лишь как добавка для коррекции электронной проводимости материала. Теперь же ученые доказали возможность управления магнитными характеристиками оксида галлия. Это позволяет создавать полупроводники, объединяющие функции обработки данных и их надежного магнитного хранения на одном кристалле. Подобные технологии обеспечат быструю коммутацию в высоковольтных сетях, минимизируя потери энергии, что делает новый материал перспективной платформой для электроники будущего.